型号介绍GD25LQ32DLIGR是一款 32Mbit4MB1.8V 低压四线串行 NOR Flash这款闪存工作电压覆盖 1.65V~2.0V完美适配各类低电压主控芯片直流功耗表现十分亮眼常态待机电流仅 35μA进入深度掉电模式后电流低至 1μA能够极大延长电池类产品续航。电气时序支持最高 120MHz 时钟四线 Quad 与 QPI 模式下传输速率可达 480Mbps同时规范了完整输入输出电平标准、上电时序区分 - 40℃~85℃工业级温度电气参数高低温环境下读写、擦除时序稳定器件具备标准的读写擦耗时单页编程典型 0.7ms4KB 扇区擦除 90ms整片擦除 20 秒还支持擦写挂起、恢复功能操作中途可读取其他区域数据提升设备运行效率。硬件电气设计上集成 CS、SCLK 以及四组复用 IO 引脚默认 SPI 模式开启 QE 位后切换双线、四线通信配套独立 HOLD 暂停、深度掉电硬件逻辑同时划定 - 65℃~150℃宽存储温域IO、电源拥有充足耐压余量产品电气稳定性可靠。主要特性存储32Mbit (4MB)页 256Byte4KB 统一扇区10 万次擦写数据保存 20 年电压1.65~2.0V1.8V 低压接口SPI/Dual/Quad/QPI最高 480Mbps120MHz 时钟支持 XIP 片上执行速度页编程 0.7ms扇区擦 90ms整片擦 20s支持擦写挂起 / 恢复功耗待机 35μA深度掉电 1μA安全区块硬件 软件保护3 组 1KB OTP 安全区单颗 128bit 唯一 ID封装温区WLCSP工业级 - 40~85℃应用领域网络通信小型设备工业自动化便携式电子设备相关型号GD25LQ80EE2GRGD25D20ETIGRGD25Q40CE2GRGD25Q64EQJGRGD25WD20ETIGRGD32G553CEU7GD32A508VET7GD32G553CET7GD32F303ZGT6GD32E235F8V6TRGD32E517RET6GD32E230G6U6TRGD32F350RBT6GD32F303VET6GD30MP1021GUTR-I